新光速談改善拋光墊性能的途徑－－溝槽

目前,化學(xué)機械拋光是硅片加工和多層布線層間平坦化中最終獲得納米級超光滑無損傷表面的最有效工藝方法,也是能夠?qū)崿F(xiàn)局部和全局平坦化的實用技術(shù)。拋光墊是CMP系統(tǒng)的重要組成部分,也是的主要消耗品。拋光墊的表面結(jié)構(gòu)和組織直接影響拋光墊的性能,進而影CMP過程及加工效果。

   拋光墊表面開溝槽是改善拋光墊性能的主要途徑之一。拋光墊溝槽的形狀、尺寸及溝槽分布等因素對CMP加工區(qū)域中的拋光液流量、壓力及其分布等產(chǎn)生重要影響。但目前對拋光墊溝槽的制作工藝以及溝槽在CMP過程中的作用機理和對拋光效果的影響等方面的研究報道很少。應(yīng)用激光刻蝕原理加工拋光墊表面溝槽的新工藝,并利用該工藝制作出同心圓形、方格形以及漸開線形等不同形式的溝槽,實驗研究了溝槽的形狀、尺寸及溝槽分布等因素對CMP效果的影響。